掃描系統作為電子顯微鏡的“指揮棒”，通過精準控制電子束在樣品表面的掃描路徑，實現微觀形貌的高分辨率成像，其工作原理可拆解為以下核心環節：
一、電子束的生成與聚焦
電子槍（如熱發射槍或場發射槍）發射高能電子束，經電磁透鏡系統聚焦后，形成直徑僅5-10納米的細束。這一過程類似于光學顯微鏡中光源的準直，但電子束的波長更短（加速電壓下波長可達0.01納米級），為高分辨率成像奠定基礎。
二、掃描系統的動態控制
末級透鏡上方的掃描線圈是系統的“指揮中樞”。通過向線圈輸入鋸齒波電流，電子束在樣品表面按光柵式路徑掃描，即從左上方開始，逐行向右下方移動。掃描范圍可通過調節電流幅度實現從微米到毫米級的靈活調整，滿足不同放大倍率需求。
三、信號同步與圖像重建
電子束與樣品相互作用產生二次電子、背散射電子等信號，其強度與樣品表面形貌直接相關。探測器捕獲這些信號后，經放大器處理并同步傳輸至顯像管。由于掃描線圈電流與顯像管偏轉線圈電流嚴格同步，樣品表面任意點發射的信號均能精準對應顯像管上的亮點，最終通過逐點成像完成一幀圖像。
四、關鍵性能參數
分辨率：二次電子成像模式下可達1納米，背散射電子成像模式下約3納米，可清晰分辨納米級結構。
景深：是光學顯微鏡的300倍，適合觀察表面起伏較大的樣品（如材料斷口、生物組織）。
放大倍數：2-20萬倍連續可調，覆蓋從宏觀形貌到微觀結構的全尺度分析。
五、技術優勢與應用場景
掃描系統通過非破壞性掃描實現高分辨率成像，且樣品制備簡單（導電材料可直接觀察，非導電材料需噴鍍導電層）。在材料科學中，可用于分析納米材料形貌、鍍層均勻性；在半導體領域，可檢測芯片制造缺陷；在生物醫學中，可觀察細胞超微結構。隨著低真空和環境掃描技術的發展，其應用已擴展至濕樣品、含水生物組織等復雜場景。
更新時間：2025-09-11
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三坐標測量儀
